Фоторезист сухой пленочный МПФ-ВЩ
Модифицированный пленочный фоторезист водно-щелочного проявления МФП-ВЩ применяется в производстве радиоэлектронной аппаратуры на этапах получения электропроводящих слоев требуемой конфигурации однослойных или многослойных печатных плат по негативной или позитивной технологии.
Фоторезист представляет собой слой несеребряного светочувствительного материала, нанесенного на полиэтилентерефталатную пленочную основу. Поверхность светочувствительного слоя защищена полиэтиленовой пленкой, которая удаляется перед началом работ с фоторезистом.
|
Наименование показателя |
Норма |
|---|---|
|
Толщина светочувствительного слоя, мкм |
50* |
|
Толщина полиэтилентерефталатной основы, мкм |
20 |
|
Толщина защитной полиэтиленовой пленки, мкм |
35 |
|
Эффективное время экспонирования в области спектра 320-420 нм, с, не более |
30 |
|
Энергия экспонирования, мДж/кв.см |
150-180 |
|
Разрешающая способность (минимальная ширина между соседними электропроводящими дорожками), мкм |
120 |
* По согласованию с заводом-изготовителем возможен выпуск МПФ-ВЩ с другой толщиной светочувствительного слоя.
Гальваностойкость экспонированного фоторезиста обеспечивает качественное осаждение слоя металла из электролита с рН менее 7. Химическая стойкость экспонированного фоторезиста обеспечивает обработку в растворах с рН до 10 в течение минуты и более при температуре раствора 18-25°С.
Фоторезист выпускается в рулонах шириной 200, 300, и 600 мм, длиной по 70 м.